V-Fet Single Ended Amplifier

[konok]

Lassan felkerül az i betűre a pont - a bemeneti csatoló Black Gate NX HIQ super E cap bekötése után elérkezett az idő, a kimeneti csatolók is kicserélésre kerültek 
A Black Gate NX sorozatából két-két darab 1000uF/25v-os kondenzátor került super E cap bekötéssel a V-MOSPOWER FET SE-be...bejáratás ON 


http://www.octave-electronics.com/Parts ... tech.shtml

TJ.

Super E konfigurációban milyen hosszú bejáratási időre kell számítani?

[tunerman]

Mindkét Black Gate nonpolar kondenzátornak a felformázódása ebben a "super E" konfigurációban szerintem hosszabb, mint egy hagyományos polarizált tipusnak. Azok 20-30 óra után már jól teljesítenek, ez az antiparallel kapcsolás többet kíván.
TJ.

[konok]

Lassan felkerül az i betűre a pont - a bemeneti csatoló Black Gate NX HIQ super E cap bekötése után elérkezett az idő, a kimeneti csatolók is kicserélésre kerültek 
A Black Gate NX sorozatából két-két darab 1000uF/25v-os kondenzátor került super E cap bekötéssel a V-MOSPOWER FET SE-be...bejáratás ON 


http://www.octave-electronics.com/Parts ... tech.shtml

TJ.

Super E konfigurációban milyen hosszú bejáratási időre kell számítani?

[tunerman]

Mindkét oldal elkészült az új choke bridge verzióval, az alkatrészek értékei a következők:
R1/R2= 9,1k
C1/C2= 1000uF
C3= 100uF
L1= 30mH

[tunerman]

A jobb oldali kimenetet átalakítottam, kicsatoló kondenzátorok a hangfalcsatlakozókon. Rézfólia körbetekerve a kicsatolókon, nehogy már meglepetés érjen bàrkit is.
Az NFB visszacsatoló kondenzátora a panelen vizszintesen van elhelyezve.
TJ.

[tunerman]

Az utóbbi időben a V-MOSPOWER FET SE kicsatoló kondenzátoros kimenetével foglalkoztam, mivel nyilvánvaló előnyei mellett hátrányai is vannak. Talán a legfontosabb kettőről írnék.
1. Az erősítő jó alacsony frekvenciás átvitetele nagy kapacitású kimenő elektrolit kondenzátort kíván (2.000-10.000uF), de a nagyobb értékek már bekapcsolási "koppanást" okoznak (a hangszóró membránja alaposan kilendül)
2. A kicsatoló elektrolit kondenzátor a kapcsolások nagy részében nem része az NFB-nek, így nem kézbentartott a hangminőségre gyakorolt hatása.

Első lépésként az alábbi elvi rajzon látható megoldást dolgoztam ki, ahol külön DC NFB (R1+R2) és AC NFB (C3) található. Az L1 fojtó szerepe az "A" osztályú műkődés stabilizálása (DCR által), valamint a szub tartomány felé haladva C1 és C2 "összekapcsolása". Amúgy a C1 és a C2 feltváltva hajtja meg a kimenetre kötött terhelést. A C3 kondenzátor biztosítja a kimeneti pontról való AC visszacsatolást, ezzel a dinamikus DF értéke is állandó a teljes hangfrekvenciás sávban.
TJ.

[tunerman]

Bejáratás indul

[tunerman]

Végre sikerült ez a tápegység bypass kondi témát meghaladni, a 2 db Black Gate "N" 100uF/50v-os kondi (super E capacitor) a végtranzisztorok kivezetéseire került.
TJ.

[tunerman]

Black Gate 2200uF/63v FK bypass capacitor with silver ribbon
Az ezüstszalag 10x0,5mm-es, négykilences tisztaságú.
TJ.

[sutemenyx]

Kicsit jobb a jelátvitel, de ne felejtsük ki a VMP1 drainjét eddig is terhelő PNP teljesítmény tranzisztor bázisát - mert az maradt...
TJ.

Köszönöm, na erre voltam kíváncsi!
Azért elég jelentősen szebb az új szigetelővel a négyszögjel! Ami szkópon látszik, az pedig biztosan hallható is, hiába a mérés a hallható tartományon kívül történt.

[tunerman]

Kicsit jobb a jelátvitel, de ne felejtsük ki a VMP1 drainjét eddig is terhelő PNP teljesítmény tranzisztor bázisát - mert az maradt...
TJ.

[sutemenyx]

A TO-3 alumina kerámia szigetelő alátét bekerült a V-MOSPOWER FET SE prototípusába is 
A 10kHz-es négyszög átvitelről teszek fel fotót (8R, 5v/div).
TJ.

Én szeretnék kérni 100kHz négyszögjelet is. Lehet olyat kérni?

Két oldallal korábban megtalálod
TJ.

De engem igy erdekelne az uj szigetelovel. Elvileg sokkal meredekebbnek kell lennie, mint volt.

[tunerman]

A TO-3 alumina kerámia szigetelő alátét bekerült a V-MOSPOWER FET SE prototípusába is 
A 10kHz-es négyszög átvitelről teszek fel fotót (8R, 5v/div).
TJ.

Én szeretnék kérni 100kHz négyszögjelet is. Lehet olyat kérni?

Két oldallal korábban megtalálod
TJ.

[sutemenyx]

A TO-3 alumina kerámia szigetelő alátét bekerült a V-MOSPOWER FET SE prototípusába is 
A 10kHz-es négyszög átvitelről teszek fel fotót (8R, 5v/div).
TJ.

Én szeretnék kérni 100kHz négyszögjelet is. Lehet olyat kérni?

[tunerman]

A TO-3 alumina kerámia szigetelő alátét bekerült a V-MOSPOWER FET SE prototípusába is 
A 10kHz-es négyszög átvitelről teszek fel fotót (8R, 5v/div).
TJ.

[tunerman]

Kicsit tekervényes úton, de sikerült beszereznem még kettőt a hiányzó alkatrészek közül. A Hammond 155B DC choke a tápegységbe került, míg a TO-3 tokozású Siliconix VMP1 V-MOSPOWER FET kerámia szigetelő alátétet (alumina ceramic washer) kapott.
Az előzőleg berakott csillám alátét a TO-3-as tokozású VMP1 háza és a hűtőborda között több mint 200pF kapacítás értéket produkált. Az alumina kerámia alátét ezt parazita kapacítást szinte teljesen megszüntette, néhány pF-ra redukálta. Mondanom sem kell, hogy a VMP1 drain-ját a készülékházra söntölő kapacítás radikális csökkentése nagy előnyt jelenthet a jobb minőség elérése felé. 
TJ.

[tunerman]

A hátsó panel szerelvényei a helyükre kerültek.
TJ.

[tunerman]

A Texas Instruments gyártotta az angol haderő részére ezeket a CV8889 tipusszámot viselő tranzisztorokat, amelyek valójában a 2N3055 megfelelői. A mezei DC bétamérések (Ic=1A) szerint 100 és 180 között van az áramerősítésük, ez még kicsit magasabb is mint a Texas 2N3055 felíratot viselők 
TJ.

[tunerman]

Terveztem egy új logót, ami kétféle utalást is tartalmaz az erősítőm munkaponti BIAS beállítására
(BIAS > Iout max.)
TJ.

[tunerman]

A készülő erősítő tápegységbe beszabtam a 99,99%-os ezüstszalagokat, amelyek 10x0,5mm-esek, szánkózhatnak az elektronok a puffer kondezátorba
TJ.

[tunerman]

Megjött néhány alkatrész az épülő 20 wattos verzióhoz, egyből beugrottak a helyükre
TJ.

[tunerman]

A saját tervezésű V-MOSPOWER FET SE 20 wattos tervein dolgoztam az utóbbi hetekben, amiben már szerepel a Parallel Constan Current Source (PCCS) kapcsolási megoldásom. 
Az elektronikában jól ismert, sorba kötött FET-es Cascade Constant Current Source párhuzamos verziója lenne ez.
TJ.

[tunerman]

V-MOSPOWER FET SE board model

[tunerman]

A topik címét figyelembe véve feltennék egy kérdést. A V-MOSPOWER FET SE nevű kapcsolásomat még senki sem rakta össze deszkamodelként az elmúlt két és fél év alatt? Az egyetlen feszültségerősítő V-MOSPOWER FET számtalan tipusa olcsón beszerezhető: VMP4, 2N6657, 2N6658, VN66AF, VN88AF, stb.
Mert a faék egyszerűségű, néhány alkatrészt tartalmazó kapcsolást utána szénné lehetne mérni, pl. spektrumanalizátoron mindent kimutatni. Minden a téma iránt érdeklődő topikolvasó szerintem ennek nagyon örülne.
A puding próbája az evés
TJ.

[tunerman]

OFF

Ez az indirekt bizonyítása, hogy a komplementer kimenet az áramváltozással leírtak szerint nem igazán PP!
Mindaddig érvényes ez a definició, amíg a beállított munkaponti áramot meg nem haladja a kimenőáram. Amikor ez bekövetkezik, akkor megszünik a másik eszköz szerepe, mert rajta semmilyen áram nem folyik.

Mivel a forgalomban lévő erősítők komplementer followeres kimenetet használnak, ezért tehetek egy érdekes felvetést.
Amikor a kimenet munkaponti áramát megnövelik (BIAS), akár az "A" osztályig is feltekerik, akkor a fent leírt definició szerint működik a komplementer follower! Az "N" es a "P" eszközök antiparallel SE üzemmódban dolgoznak amíg a munkaponti áramot meg nem haladja a kimenő áram - utána átlépnek "B" osztályba.
Ezért szól mindenki szerint füllel hallhatóbban jobban ugyanazon erősítő "A" osztályba feltekert munkaponti árammal mert valójában a kimenete addig váltakozó áramú szempontból egy antiparallel SE.
ON TJ.